功率模块在瞬态和稳态情况下都要求具有良好的导热导电性能以及可靠性。功率模块的体积缩小会引起模块和芯片电流、接线端电压以及输入功率的增大，从而增加了热能的散失，由此带来了一些了问题如温度漂移等，会严重影响功率器件的可靠性，加速器件的老化。为了解决高温大功率器件所面临的问题，近年来，纳米银烧结技术受到了广泛的关注和应用。 第三代半导体封装和现有的封装技术不同，能够和相关晶圆厂合作突破化合物半导体碳化硅零件的封装技术突破，实现新的增长点。作为高可靠的连结技术，烧结银在以SiC为代表的第三代半导体具有良好的应用前景。烧结银银层具有良好的导热性和导电性，高达961度的熔点使其可靠性也大大提高，而烧结温度和传统焊料差不多，并且无铅化对环境特别友好。 但是，银烧结技术所用的纳米银成本远高于焊膏，银浆成本随着银颗粒尺寸的减小而增加，同时基板铜层的贵金属镀层也增加了成本；银烧结技术需要一定的辅助压力，高辅助压力易造成芯片的损伤；银烧结预热、烧结整个过程长达60分钟以上，生产效率较低；银烧结技术得到的连接层，其内部空洞一般在微米或者亚微米级别，目前尚无有效的检测方法。 本项目主要是开发纳米银烧结材料及其在SiC上的应用。