本发明公开了一种基于光镊与电场力测量光场强度分布的装置及方法。本发明利用光镊悬浮纳米微粒，将微粒置于待测光场中，对其施加电场，标定纳米微粒参数，并通过调控不同电场力大小得到纳米微粒偏离光镊光阱中心位移的关系。由于纳米微粒尺寸远小于待测光场的波长，因此其置于待测光场时发生瑞利散射，其散射光光强与纳米微粒所在待测光场位置的光场强度成正比，利用光电探测器采集纳米微粒的散射光信号，通过计算得到该位置的光场强度，施加不同方向和大小的电场力改变纳米微粒在待测光场中的位置，采集不同位置的散射光信号，即可实现光场强度分布的测量。本发明的测量装置及方法能够提供更高的空间分辨率和测量精度。

本发明公开了一种基于光镊与电场力测量光场强度分布的装置及方法。本发明利用光镊悬浮纳米微粒，将微粒置于待测光场中，对其施加电场，标定纳米微粒参数，并通过调控不同电场力大小得到纳米微粒偏离光镊光阱中心位移的关系。由于纳米微粒尺寸远小于待测光场的波长，因此其置于待测光场时发生瑞利散射，其散射光光强与纳米微粒所在待测光场位置的光场强度成正比，利用光电探测器采集纳米微粒的散射光信号，通过计算得到该位置的光场强度，施加不同方向和大小的电场力改变纳米微粒在待测光场中的位置，采集不同位置的散射光信号，即可实现光场强度分布的测量。本发明的测量装置及方法能够提供更高的空间分辨率和测量精度。