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红外半导体激光器有源区、半导体激光器及其制作方法
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挂牌 挂牌开始时间: 2021-11-25 信息披露期内,不支持交易
商品编号
45231179881031705069
商品权属
自有
转让方式
技术转让
价格
¥ 500,000 元

店铺信息

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
电话 139xxxx6156
本发明公开了一种红外半导体激光器的有源区,所述有源区包括量子阱结构,所述量子阱结构中势阱层的材料为InmGa1-mAs1-nBin,所述量子阱结构中势垒层的材料为InxGa1-xAs1-yBiy,其中m=0.48~0,n=0.04~0.34;x=0.48~0.54,y=0.04~0。本发明采用InxGa1-xAs1-yBiy 材料作为半导体激光器有源区的材料,基于晶格匹配生长,能够兼容DBR、DFB 及垂直腔面发射激光器等其它类型激光器结构,且激光器采用无Al 结构提高了器件的性能及寿命。本发明还提供了半导体激光器及其制作方法。
商品类型 专利 申请号 201310351168.2 所属行业 暂缺
专利类型 发明 法律状态 有权 IPC分类号 H01S5/343
交易方式 技术转让 专利状态 已授权 授权号
技术领域 电子信息 有效期至 长久有效 授权日
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