本发明公开了一种红外半导体激光器的有源区,所述有源区包括量子阱结构,所述量子阱结构中势阱层的材料为InmGa1-mAs1-nBin,所述量子阱结构中势垒层的材料为InxGa1-xAs1-yBiy,其中m=0.48~0,n=0.04~0.34;x=0.48~0.54,y=0.04~0。本发明采用InxGa1-xAs1-yBiy 材料作为半导体激光器有源区的材料,基于晶格匹配生长,能够兼容DBR、DFB 及垂直腔面发射激光器等其它类型激光器结构,且激光器采用无Al 结构提高了器件的性能及寿命。本发明还提供了半导体激光器及其制作方法。
商品类型 | 专利 | 申请号 | 201310351168.2 | IPC分类号 | |
专利类型 | 发明 | 法律状态 | 有权 | 技术领域 | |
交易方式 | 技术转让 | 专利状态 | 已授权 | 专利权人 |
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