本发明公开了一种1310nm InGaAsP(阱)/InGaAlAs(垒)张应变量子阱激光器及其制备方法。该张应变量子阱激光器的特征在于:其有源区采用P型掺杂、应变补偿的InGaAsP/InGaAlAs张应变量子阱,并使垒和阱间的重空穴能级处于同一能量位置;在上限制层和欧姆接触层之间,衬底和下限制层之间,分别引入上、下过渡层。该张应变量子阱激光器的优点是:采用新型的InGaAsP/InGaAlAs张应变量子阱作为有源区,并对有源区进行P型掺杂,可同时实现对注入载流子的有效限制和载流子在阱间的均匀分布,提供TM模式激光输出,降低阈值电流,提高激光器调制特性,并实现无致冷工作;采用阱、垒层的重空穴能级处于同一能量位置的设计,有助于降低激光器的阈值电流,提高斜率效率和调制带宽。该张应变量子阱激光器具有较低的阈值电流、较高的特征温度,以及较佳的增益特性、较高的斜率效率和较大的调制带宽,可实现无制冷工作,在TM模式高速激光器、双偏振量子阱激光器等领域具有重要的应用前景。
商品类型 | 专利 | 申请号 | 201310279168.6 | IPC分类号 | |
专利类型 | 发明 | 法律状态 | 有权 | 技术领域 | |
交易方式 | 技术转让 | 专利状态 | 已授权 | 专利权人 |
¥ 3,000 元
面议
面议
面议