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激光器有源区、半导体激光器及其制作方法
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挂牌 挂牌开始时间: 2021-11-25 信息披露期内,不支持交易
商品编号
45230878749009930363
商品权属
自有
转让方式
技术转让
价格
¥ 760,000 元

店铺信息

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
电话 139xxxx6156
本发明公开了一种1310nm InGaAsP(阱)/InGaAlAs(垒)张应变量子阱激光器及其制备方法。该张应变量子阱激光器的特征在于:其有源区采用P型掺杂、应变补偿的InGaAsP/InGaAlAs张应变量子阱,并使垒和阱间的重空穴能级处于同一能量位置;在上限制层和欧姆接触层之间,衬底和下限制层之间,分别引入上、下过渡层。该张应变量子阱激光器的优点是:采用新型的InGaAsP/InGaAlAs张应变量子阱作为有源区,并对有源区进行P型掺杂,可同时实现对注入载流子的有效限制和载流子在阱间的均匀分布,提供TM模式激光输出,降低阈值电流,提高激光器调制特性,并实现无致冷工作;采用阱、垒层的重空穴能级处于同一能量位置的设计,有助于降低激光器的阈值电流,提高斜率效率和调制带宽。该张应变量子阱激光器具有较低的阈值电流、较高的特征温度,以及较佳的增益特性、较高的斜率效率和较大的调制带宽,可实现无制冷工作,在TM模式高速激光器、双偏振量子阱激光器等领域具有重要的应用前景。
商品类型 专利 申请号 201310279168.6 所属行业 暂缺
专利类型 发明 法律状态 有权 IPC分类号 H01S5/343
交易方式 技术转让 专利状态 已授权 授权号
技术领域 电子信息 有效期至 长久有效 授权日
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