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一种1300nm~1550nm含铋化物的半导体激光器及其制备方法
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挂牌 挂牌开始时间: 2021-11-25 信息披露期内,不支持交易
商品编号
45230788305889345165
商品权属
自有
转让方式
技术转让
价格
¥ 700,000 元

店铺信息

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
电话 139xxxx6156
本发明公开了一种1300nm~1550nm含铋化物的半导体激光器,包括顺次连接的过渡层、下限制层、下波导层、有源区、上波导层、电子阻挡层、上限制层、欧姆接触层,其有源区采用由GaNAsBi/GaAs材料体系制作的应变量子阱,在P型AlGaAs上波导层和P型AlGaAs或GaInP上限制层间设有P型AlGaAs电子阻挡层,在GaAs衬底和N型AlGaAs或GaInP下限制层间设有N型AlGaAs过渡层。所述半导体激光器外延结构在GaAs衬底上生长,具有比InP基激光器更低的生产成本,有较高的特征温度,能够有效阻止载流子溢出有源区,可以推广到垂直腔面发射激光器等其他类型的激光器。
商品类型 专利 申请号 201310176408.X 所属行业 暂缺
专利类型 发明 法律状态 有权 IPC分类号 H01S5/343
交易方式 技术转让 专利状态 已授权 授权号
技术领域 电子信息 有效期至 长久有效 授权日
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