本发明公开了一种用作太赫兹和红外光偏振调制的薄膜材料及其制备方法。该薄膜材料具体为:在锑化镓的基质中嵌入锑化铒的纳米线阵列,纳米线阵列的方向与基质表面垂直或者平行,当锑化铒的体积比浓度为10%时,纳米线阵列的方向垂直于基质表面;当锑化铒的体积比浓度为15/25%时,纳米线阵列的方向平行于基质表面。本发明通过分子束外延的方法,获得在半导体材料中嵌入具有半金属性质的纳米线结构的复合材料,这种材料可用作宽频的太赫兹和红外偏振器,并可与基于III/V族半导体材料的太赫兹和红外光电器件进行集成。
本发明公开了一种用作太赫兹和红外光偏振调制的薄膜材料及其制备方法。该薄膜材料具体为:在锑化镓的基质中嵌入锑化铒的纳米线阵列,纳米线阵列的方向与基质表面垂直或者平行,当锑化铒的体积比浓度为10%时,纳米线阵列的方向垂直于基质表面;当锑化铒的体积比浓度为15/25%时,纳米线阵列的方向平行于基质表面。本发明通过分子束外延的方法,获得在半导体材料中嵌入具有半金属性质的纳米线结构的复合材料,这种材料可用作宽频的太赫兹和红外偏振器,并可与基于III/V族半导体材料的太赫兹和红外光电器件进行集成。
商品类型 | 专利 | 申请号 | CN201710266022.6 | IPC分类号 | |
专利类型 | 发明 | 法律状态 | 有权 | 技术领域 | |
交易方式 | 开放许可 | 专利状态 | 已授权 | 专利权人 | |