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一种制备合金相变材料纳米点阵的方法
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本发明涉及一种制备合金相变材料纳米点阵的方法,属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。该方法包括在水表面铺设单层纳米聚苯乙烯小球PS小球、用衬底材料捞PS小球单层膜、反应离子刻蚀、退火去除PS掩模版、在纳米阵列上层蒸镀绝热绝缘材料、去除蒸镀层表皮各步骤,形成相互绝热、绝缘的纳米相变材料阵列。采用本发明后,可以与当前微电子工艺技术相兼容,避免使用成本昂贵的超精细加工技术,获得高密度、高均匀度的锗锑碲和硅锑碲纳米点阵,使得相变材料的有源区的尺寸达到几十纳米甚至几纳米,有助于大大降低材料发生相变所需的电压和功耗,使硫系化合物纳米相变材料走出实验室,切实实现产业化。 
商品类型 专利 申请号 CN200810024440.5 所属行业 暂缺
专利类型 发明 法律状态 无权 IPC分类号 C23F1/12
交易方式 技术转让 专利状态 已授权 授权号
高新技术领域分类 新材料 信息有效期至 长久有效 授权日
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