本发明涉及一种制备合金相变材料纳米点阵的方法，属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。该方法包括在水表面铺设单层纳米聚苯乙烯小球PS小球、用衬底材料捞PS小球单层膜、反应离子刻蚀、退火去除PS掩模版、在纳米阵列上层蒸镀绝热绝缘材料、去除蒸镀层表皮各步骤，形成相互绝热、绝缘的纳米相变材料阵列。采用本发明后，可以与当前微电子工艺技术相兼容，避免使用成本昂贵的超精细加工技术，获得高密度、高均匀度的锗锑碲和硅锑碲纳米点阵，使得相变材料的有源区的尺寸达到几十纳米甚至几纳米，有助于大大降低材料发生相变所需的电压和功耗，使硫系化合物纳米相变材料走出实验室，切实实现产业化。 

本发明涉及一种制备合金相变材料纳米点阵的方法，属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。该方法包括在水表面铺设单层纳米聚苯乙烯小球PS小球、用衬底材料捞PS小球单层膜、反应离子刻蚀、退火去除PS掩模版、在纳米阵列上层蒸镀绝热绝缘材料、去除蒸镀层表皮各步骤，形成相互绝热、绝缘的纳米相变材料阵列。采用本发明后，可以与当前微电子工艺技术相兼容，避免使用成本昂贵的超精细加工技术，获得高密度、高均匀度的锗锑碲和硅锑碲纳米点阵，使得相变材料的有源区的尺寸达到几十纳米甚至几纳米，有助于大大降低材料发生相变所需的电压和功耗，使硫系化合物纳米相变材料走出实验室，切实实现产业化。