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一种异质结太阳电池及其制备方法
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孙慧娟
电话 138xxxx2708

本发明涉及一种异质结太阳电池及其制备方法,特指利用带隙变化的纳米晶-非晶两相薄膜材料和单晶硅制备异质结太阳电池。属于太阳能电池器件制备技术领域。本发明的特点是利用纳米晶-非晶两相硅薄膜和P型体硅制造硅基异质结太阳电池。纳米晶-非晶两相硅的带隙高于体硅的带隙(1.12eV),所以异质结的开路电压得到提高,另一方面,纳米晶-非晶两相硅的带隙从1.3eV变化到1.8eV,由于带隙是渐变的,p型体硅和纳米晶-非晶两相硅之间的能带缓慢变化,提高了短路电流和填充因子。硅基薄膜层利用了较厚本征纳米晶-非晶两相硅和极薄的n型纳米晶-非晶两相硅的组合,进一步降低了电子-空穴在纳米晶-非晶两相硅层中的复合概率,从而提高短路电流。

本发明涉及一种异质结太阳电池及其制备方法,特指利用带隙变化的纳米晶-非晶两相薄膜材料和单晶硅制备异质结太阳电池。属于太阳能电池器件制备技术领域。本发明的特点是利用纳米晶-非晶两相硅薄膜和P型体硅制造硅基异质结太阳电池。纳米晶-非晶两相硅的带隙高于体硅的带隙(1.12eV),所以异质结的开路电压得到提高,另一方面,纳米晶-非晶两相硅的带隙从1.3eV变化到1.8eV,由于带隙是渐变的,p型体硅和纳米晶-非晶两相硅之间的能带缓慢变化,提高了短路电流和填充因子。硅基薄膜层利用了较厚本征纳米晶-非晶两相硅和极薄的n型纳米晶-非晶两相硅的组合,进一步降低了电子-空穴在纳米晶-非晶两相硅层中的复合概率,从而提高短路电流。
需求类型 专利 发布方 单位 需求标签
交易方式 技术转让 所在地区
信息有效期至 2020-12-30
拟投资金额 资金用途
高新技术领域分类 新能源与节能