江苏省技术产权交易市场

高压大功率MOSFET器件封装设计
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发布时间: 2020-11-11 11:58:09 剩余时间: 已过期
需求编号
FT202031605569864261
发布者
江苏省产业技术研究院
需求状态
已过期
意向投入
¥200,000元
联系方式
139xxxx7904 【点击查看】
对于功率器件而言,低导通损耗是产品应用选型的重要参考依据。寻求针对功率MOS降低导通内阻RDSON的技术及产品。
技术领域
电子信息,微电子技术,集成电路封装技术
需求类型
产品升级
有效期至
2021-10-31
合作方式
许可使用
需求来源
所在地区
江苏省扬州市
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